Оглавление:
- Определение - Что означает резистивная оперативная память (ReRAM)?
- Techopedia объясняет резистивную оперативную память (ReRAM)
Определение - Что означает резистивная оперативная память (ReRAM)?
Резистивная память с произвольным доступом (RRAM / ReRAM) - это новый тип памяти, разработанный для энергонезависимой памяти. Он разрабатывается рядом компаний, и некоторые уже запатентовали свои собственные версии технологии. Память работает путем изменения сопротивления специального диэлектрического материала, называемого мемрезистором (резистором памяти), сопротивление которого изменяется в зависимости от приложенного напряжения.
Techopedia объясняет резистивную оперативную память (ReRAM)
RRAM является результатом нового вида диэлектрического материала, который не поврежден постоянно и выходит из строя, когда происходит пробой диэлектрика; для мемрезистора пробой диэлектрика является временным и обратимым. Когда напряжение намеренно подается на мемрезистор, в материале создаются микроскопические проводящие пути, называемые нитями. Нити вызваны такими явлениями, как миграция металла или даже физические дефекты. Нити могут быть сломаны и перевернуты, применяя различные внешние напряжения. Именно это создание и уничтожение волокон в больших количествах позволяет хранить цифровые данные. Материалы, которые имеют характеристики памяти, включают оксиды титана и никеля, некоторые электролиты, полупроводниковые материалы и даже несколько органических соединений, которые были протестированы на наличие этих характеристик.
Основным преимуществом RRAM перед другими энергонезависимыми технологиями является высокая скорость переключения. Из-за тонкости запоминающих устройств он обладает большим потенциалом для высокой плотности хранения, большей скорости чтения и записи, более низкого энергопотребления и более низкой стоимости, чем флэш-память. Флэш-память не может продолжать масштабироваться из-за ограничений материалов, поэтому RRAM скоро заменит флэш-память.
