Оглавление:
- Определение - Что означает расширенная память с произвольным доступом (EDO RAM)?
- Techopedia объясняет расширенную память с произвольным доступом (EDO RAM)
Определение - Что означает расширенная память с произвольным доступом (EDO RAM)?
Расширенная память с произвольным доступом к данным (EDO RAM / DRAM) - это микросхема динамического оперативного запоминающего устройства (DRAM) раннего типа, которая была разработана для повышения производительности DRAM с быстрым постраничным режимом (FPM DRAM), который использовался в 1990-х годах. Его главная особенность заключалась в том, что он исключал время ожидания, позволяя запускать новый цикл при сохранении буфера вывода данных из предыдущего активного цикла, что обеспечивает определенную степень конвейерной обработки (перекрытия в работе), что повышает производительность.
Techopedia объясняет расширенную память с произвольным доступом (EDO RAM)
Расширенная память с динамическим произвольным доступом была введена в 1994 году и начала заменять быстродействующий режим DRAM в 1995 году, когда Intel впервые представила чипсет 430FX, поддерживающий EDO DRAM. До этого EDO DRAM мог заменить FPM DRAM, но если контроллер памяти не был специально разработан для EDO, то производительность осталась такой же, как и у FPM.
EDO DRAM с одним циклом может выполнять всю транзакцию памяти за один такт, в противном случае он может сделать это за два цикла вместо трех после выбора страницы. Возможность EDO позволила ему заменить медленную кэш-память второго уровня в то время и уменьшила огромные потери производительности, связанные с кэш-памятью второго уровня, в то же время сделав ПК дешевле в сборке. Таким образом, система, использующая EDO с кэш-памятью L2, была намного быстрее по сравнению с комбинацией кэш-памяти FPM и L2, но при этом была дешевле в сборке.
EDO был рассчитан на максимальную тактовую частоту 40 МГц, 64-битную полосу пропускания шины, пиковую полосу пропускания 320 Мбит / с и работал при 5 вольт. Он был заметно быстрее, чем старая FPM DRAM, которая имела максимальную тактовую частоту всего 25 МГц и пиковую пропускную способность 200 Мбит / с. Тем не менее, он был заменен более быстрой SDRAM начиная с 1996 года, после всего лишь двух лет интенсивного использования.
